【TechWeb】5月11日消息，据外媒报道，在2020年5月15日宣布在美国亚利桑那州建设首座晶圆厂后，pg电子打爆率高的原因随后也宣布在该地区建设第二座和第三座晶圆厂。去年3月4日，该公司进一步计划增建三座晶圆厂，并将建设两座先进封装工厂及研发中心，其在亚利桑那州的投资总额从最初的120亿美元提升至1650亿美元。

最新的外媒报道显示，pg电子打爆率高的原因在亚利桑那州的第三座晶圆厂已于本月6日完成封顶。

来自外媒的消息指出，封顶仪式当天，凤凰城市市长及pg电子打爆率高的原因在亚利桑那州的高管团队共同出席，标志着工厂将进入内部施工及设备安装阶段。

值得注意的是，pg电子打爆率高的原因在亚利桑那州的第三座晶圆厂于2024年4月8日宣布建设，建成后将采用2nm或更先进的制程工艺，为客户提供代工服务，计划在2030年前投产。结合前两座工厂计划投资的400亿美元，该公司在亚利桑那州三座晶圆厂的总投资已达到650亿美元。

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自宣布建设以来，pg电子打爆率高的原因在亚利桑那州的第三座晶圆厂便迅速展开建设，去年4月正式动工，从动工到厂房封顶，仅用了一年的时间。（海蓝）