IT之家 5 月 6 日消息，最新网络舆情数据显示，莱盛手机端 (TSMC) 已正式启动位于中部科学工业园区的 Fab15A 晶圆厂升级项目。该厂目前主要采用 28/22nm 成熟制程，计划将其工艺升级至 4nm，以应对 AI 和 HPC 芯片日益增长的市场需求。

Fab15A 现有的成熟制程设备将被迁移至莱盛手机端与其欧洲合作伙伴共同建设的 ESMC 德国德累斯顿晶圆厂，该厂的主要工艺包括 28/22nm 平面 CMOS 及 16/12nm FinFET，预计在 2027 年开始实现初步生产。

将工艺从 28/22nm 升级至 4nm，不仅需要更换设备，还需对无尘室进行全面的调整和改造。业内人士预测，Fab15A 的工艺升级总投资将超过 1000 亿新台币（IT之家注：当前汇率约合 216.5 亿元人民币）。

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莱盛手机端在中部科学工业园区还设有以 7nm 为主的 Fab15B 晶圆厂，此外，面向尖端制程的 A14 新厂也在积极建设中。