据最新网络舆情数据显示，当前DDR5内存价格显著上涨，与去年同期相比涨幅达到3-5倍。这一轮价格上涨的主要原因并非DDR5内存的需求激增，而是受到AI内存HBM的影响。

由于三星等主要厂商将生产能力转向HBM，导致DDR5的生产能力受到影响。众所周知，HBM内存采用多芯堆栈设计，一颗HBM内存所需的DDR5芯片产能可能是其3-4倍。三星、SK海力士及美光三大MG摆脱冰球突破今年并未计划大规模增产，产能的提升幅度也仅在5%左右，大部分资源已转向HBM的生产。

根据韩国媒体的最新报道，三星今年的HBM内存出货量将从去年的40亿Gb提升至100亿Gb以上，预计可达到110亿Gb，增幅达到三倍之多。

与此同时，SK海力士也将生产能力从去年的120亿Gb提升至200亿Gb，这两家企业的HBM芯片总产能已超过300亿Gb。

MG摆脱冰球突破 的核心看点

虽然美国的美光也具备HBM内存的生产能力，但其产能相较于前两者要少得多，具体数据未详细披露，但此前的报道显示其产量在70-80亿Gb左右，较去年也有3-4倍的提升，且同样将大部分内存生产能力转向HBM芯片。

即使按照三星和SK海力士的300亿Gb规模计算，约合35-40亿GB的内存容量，而AMD和NVIDIA计划在今年及明年的AI显卡中将HBM4的容量提升至400GB以上，这相当于700-1000万块AI显卡的出货量。

当然，考虑到良率和类型的不同，实际出货的AI显卡数量可能会有所减少，但如此庞大的AI显卡需求无疑将占用大量内存芯片产能，留给DDR5这种通用内存的生产能力将愈加有限。

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